特許

J-GLOBAL ID：200903020131389988

エッチング方法及び装置

発明者： 掛樋 豊 ,  福山 良次 ,  縄田 誠 ,  大本 豊 ,  加治 哲徳
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-003861
公開番号（公開出願番号）：特開平6-216069
出願日： 1993年01月13日
公開日（公表日）： 1994年08月05日
要約：

【要約】【目的】本発明の目的は高段差構造のデバイスを十分なエッチング速度(短いエッチング時間)とマスク及び下地に対する高選択性をキープしながら、形状制御性に秀れたプラズマエッチング方法及び装置を提供することである。【構成】エッチング中の放電室7のプラズマを発光検出器17で検出し、ガス供給系15を制御する制御装置18を設け、エッチャントと反応生成物の割合をオーバーエッチング中に連続して制御させる。【効果】高段差におけるオーバーエッチング時の被エッチング面積の減少に合わせてエッチャント、反応生成物の量を制御できるので、短時間でマスクや下地との高選択性を保って、えぐれ等のない形状制御性の良いエッチングが達成できる。

請求項（抜粋）：

エッチャントを用いてエッチングを行うエッチング方法において、エッチング中のエッチャントとなるガスの流量をエッチングされる材料の発光強度の変化に伴って連続的に変化させ、これにより高段差における形状制御性を良くしたことを特徴とするエッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/302 ,  C08J 7/00 306 ,  H05H 1/46

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-158733
  
• 特開昭59-079528
  
• 特開昭53-136967