特許

J-GLOBAL ID：200903020133488991

中性子照射材料検査システム

発明者： 越石 正人 ,  山本 道好 ,  加藤 隆彦 ,  中村 友美
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-338791
公開番号（公開出願番号）：特開2000-162369
出願日： 1998年11月30日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：

【要約】【課題】本発明は、従来試料の採取が必要であった照射材の検査システムに対して、試料の採取無しで直接検査可能なシステムを提供するものである。【解決手段】本発明の中性子照射材料検査システムでは、中性子照射を受けた材料に対し、材料を局部的に加熱しここから放出される微量ガスを直接分析して材料中のHe含有量を判定する。また、材料を局部的に加熱し冷却後の割れ発生の有無からHe量を判定する。

請求項（抜粋）：

中性子照射を受けた材料に対し、前記材料を局部的に加熱し加熱部分から放出される微量ガスを直接分析して材料中のHe含有量を判定することを特徴とする中性子照射材料検査システム。

IPC (6件)：

G21C 17/003 ,  G01N 27/62 ,  G01N 30/06 ,  G01N 30/88 ,  G21C 17/00 ,  G21F 9/02

FI (6件)：

G21C 17/00 E ,  G01N 27/62 F ,  G01N 30/06 G ,  G01N 30/88 G ,  G21F 9/02 Z ,  G21C 17/00 J

Fターム (12件)：

2G075AA03 ,  2G075BA18 ,  2G075CA07 ,  2G075DA07 ,  2G075DA09 ,  2G075EA03 ,  2G075EA07 ,  2G075FA04 ,  2G075FA20 ,  2G075FC01 ,  2G075FC13 ,  2G075GA00