特許

J-GLOBAL ID：200903020133998809

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 鳥丸 安雄
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-344923
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196647
出願日： 1992年12月24日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：

【要約】【構成】 強誘電体膜12を用いたMFSトランジスタQ1と書込用MOSトランジスタQ2及び読出用MOSトランジスタQ3とでメモリセルを構成する。【効果】 高速アクセスが可能で記憶維持用の電源も不要な不揮発性半導体記憶装置のメモリセルに多値データやアナログデータを直接記憶させることができるようになる。

請求項（抜粋）：

読出用MOSトランジスタ及び書込用MOSトランジスタと、チャンネル領域の上層に強誘電体膜を介したゲートを備えたMFSトランジスタとを有し、該MFSトランジスタのゲートが該書込用MOSトランジスタを介して3値以上の多値データ又はアナログデータが入力される書込用ビット線に接続されると共に、一方のソース又はドレインが該読出用MOSトランジスタを介して3値以上の多値データ又はアナログデータを読み出す読出用ビット線に接続され、かつ、他方のドレイン又はソースが共通電位に接続され、該書込用MOSトランジスタのゲートが書込用ワード線に接続されると共に、該読出用MOSトランジスタのゲートが読出用ワード線に接続されたメモリセルを備えた不揮発性半導体記憶装置。

IPC (6件)：

H01L 27/10 451 ,  G11C 16/04 ,  G11C 27/00 101 ,  H01L 27/108 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

G11C 17/00 308 ,  H01L 27/10 325 J ,  H01L 29/78 371