特許

J-GLOBAL ID：200903020134778322

磁気検出素子内蔵ハイブリッドIC

発明者： 望月 信助 ,  仲秋 喜代志
出願人/特許権者： 浜松光電株式会社
代理人 (1件)： 古澤 俊明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-202935
公開番号（公開出願番号）：特開平7-038174
出願日： 1993年07月23日
公開日（公表日）： 1995年02月07日
要約：

【要約】【目的】強磁性体磁気抵抗体による磁気検出素子と、この磁気検出素子の検出出力を処理する回路とを一体に設けたものにおいて、磁気検出素子や処理回路の発生する熱を一様に伝導させて、温度オフセットドリフトを少なくすることである。【構成】セラミックなどによる1枚の絶縁基板上に電気抵抗素子や配線、電極などを厚膜または薄膜で形成し、この絶縁基板上にグレースを形成して、このグレース上に強磁性体磁気抵抗薄膜による多数の短冊部からなる磁気検出抵抗体と温度補償抵抗体を形成したもので、発生した熱を基板全体に一様に伝導させ、特定の部位が異常に高温になったり、逆に低温になったりすることを防止し、基板全体の温度分布を一様に保持する。

請求項（抜粋）：

1枚の絶縁基板上に電気抵抗素子や配線、電極を厚膜または薄膜で形成し、この絶縁基板上にグレースを形成して、このグレース上に強磁性体磁気抵抗薄膜による多数の短冊部からなる磁気検出抵抗体と温度補償抵抗体を形成したことを特徴とする磁気検出素子内蔵ハイブリッドIC。

IPC (2件)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特表昭61-502790
  
• 特開平3-156391
  
• 特開昭63-208297
  
• 特開平1-212458
  
• 特開平3-282277