特許
J-GLOBAL ID：200903020136659401
不純物拡散方法およびウエハの誘電体分離方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-283368
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121535
出願日： 1991年10月30日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：
【要約】【目的】半導体に深い溝や狭い溝を掘り込んだ場合にも溝面に不純物を所望の不純物濃度で均一に拡散できるようにし、かつこれを利用して誘電体分離構造のウエハの半導体領域と誘電体膜の間に高不純物濃度の拡散層を作り込む。【構成】溝面に不純物を含む半導体膜を気相成長させた後に熱処理を施して半導体膜から不純物を溝の半導体表面部に拡散させ、ウエハの誘電体分離の際は分離溝の不純物を含む半導体膜を気相成長させた後に熱酸化処理を施して不純物を拡散させるとともに半導体膜を酸化して酸化半導体膜とし、これを誘電体分離用の誘電体膜に利用する。
請求項（抜粋）：
半導体内に掘り込まれた溝の半導体表面部に不純物を拡散する方法であって、溝面に不純物を含む半導体膜を気相成長させた後に熱処理を施すことにより不純物を半導体膜から半導体の溝表面部に熱拡散させることを特徴とする不純物拡散方法。
IPC (3件)：
H01L 21/76
, H01L 21/225
, H01L 27/04
