基材面微細凹み被覆・埋込み方法及び装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：熊谷隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-053947
公開番号（公開出願番号）：特開2001-240967
出願日： 2000年02月29日
公開日（公表日）： 2001年09月04日
要約：

【要約】【課題】簡単に構成及び制御でき、膜堆積速度が速く、且つ例えば有機錯体Cu(hfac)(tmvs)のような高価な原料を有効に利用できる基材面微細凹み被覆・埋込み方法及び装置を提供すること。【解決手段】主反応室31を具備し、該主反応室31に基材33を載置すると共に、気化装置37から主反応室31内に導電材の原料ガスを導入し、化学気相蒸着法によって基材33の表面に設けた微細な凹みを導電材で被覆するか又は、埋込む基材面微細凹み被覆・埋込み装置であって、主反応室31外に基底状態よりも高いエネルギーを持った水素種(原子、原子団、分子等)を供給する水素活性化装置35を設け、主反応室31内に気化装置37から原料ガスを導入すると共に、水素活性化装置35から基底状態よりも高いエネルギーを持った水素種を導入することができるように構成した。

請求項（抜粋）：

反応室内に基材を載置し、導電材料の原料ガスを該反応室内に導入し、化学気相蒸着法によって前記基材の表面に設けた微細な凹みを導電材料で被覆又は、埋込む基材面微細凹み被覆・埋込み方法であって、前記反応室内に前記原料ガスを導入すると共に、別途該反応室内に基底状態よりも高いエネルギーを持った水素種(原子、原子団、分子等)を導入することを特徴とする基材面微細凹み被覆・埋込み方法。

IPC (3件)：

C23C 16/18 , H01L 21/285 , H01L 21/3205

FI (3件)：

C23C 16/18 , H01L 21/285 C , H01L 21/88 M

Fターム (30件)：

4K030AA06 , 4K030AA11 , 4K030AA17 , 4K030BA01 , 4K030BA02 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030FA01 , 4K030FA02 , 4K030FA07 , 4K030FA08 , 4K030FA10 , 4K030FA14 , 4K030FA15 , 4K030JA10 , 4K030LA15 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB08 , 4M104DD44 , 4M104DD45 , 5F033HH09 , 5F033HH11 , 5F033HH14 , 5F033MM01 , 5F033PP02 , 5F033PP06 , 5F033PP11 , 5F033WW03 , 5F033XX00

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