特許

J-GLOBAL ID：200903020138639211

金属薄膜の堆積法

発明者： 笹岡 千秋
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 舘野 千惠子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-206231
公開番号（公開出願番号）：特開平6-029245
出願日： 1992年07月10日
公開日（公表日）： 1994年02月04日
要約：

【要約】【目的】 ステップカバレッジがよく、膜厚制御性に優れた金属薄膜の堆積法を提供する。【構成】 遷移金属のハロゲン化物ガスと水素ガスを交互に基板上に供給することにより金属を堆積させる。

請求項（抜粋）：

基板上に遷移金属のハロゲン化物ガスと水素ガスを交互に供給する工程を含むことを特徴とする金属薄膜の堆積法。

IPC (5件)：

H01L 21/285 301 ,  H01L 21/285 ,  C23C 16/08 ,  C23C 16/44 ,  C30B 25/14