特許

J-GLOBAL ID：200903020140293705

半導体集積回路

発明者： 岩崎 智信
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-345712
公開番号（公開出願番号）：特開平5-183107
出願日： 1991年12月27日
公開日（公表日）： 1993年07月23日
要約：

【要約】【目的】半導体集積回路に関し、過電圧保護回路の改良を目的とする。【構成】ゲート及びドレインが共通に接続されソースが一の電源ラインに接続されて前記ゲート及びドレインに印加される過電圧で導通するアルミフィールドトランジスタ(Q1)と、前記過電圧の発生を検知してアルミフィールドトランジスタ(Q1)が形成される周囲領域の電位を制御する電位制御手段(3)とを備えるように構成する。

請求項（抜粋）：

ゲート及びドレインが共通に接続されソースが一の電源ラインに接続されて前記ゲート及びドレインに印加される過電圧で導通する一のアルミフィールドトランジスタ(Q1)と、前記過電圧の発生を検知して前記一のアルミフィールドトランジスタ(Q1)が形成される周囲領域の電位を制御する電位制御手段(3)とを備えることを特徴とする半導体集積回路。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ,  H01L 27/06 ,  H01L 29/784

FI (2件)：

H01L 27/06 311 C ,  H01L 29/78 301 K