特許
J-GLOBAL ID：200903020145654021
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-212696
公開番号（公開出願番号）：特開平7-066208
出願日： 1993年08月27日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：
【要約】【目的】この発明は、バンプを集中的に加熱して溶融させることにより、半導体装置の信頼性を向上させる。【構成】実装基板11の表面上に第1の電極パッド12を設ける。半導体チップ13の表面上に第2の電極パッド14を設け、この電極パッド14の上に蒸着法及びメッキ法等により磁性材料15a と低融点金属15b とからなるバンプ15を形成する。次に、前記バンプ15が第1の電極パッド12の上に位置するように、実装基板11の上に半導体チップ13を配置し、前記実装基板11及び半導体チップ13の全体に高周波磁場を与えることにより、前記磁性材料15a を発熱させ、この熱により低融点金属15b を溶融する。この結果、前記第2の電極パッド14をバンプ15を介して第1の電極パッド12に接続する。従って、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
請求項（抜粋）：
実装基板の表面上に形成された第1のパッドと、半導体チップの表面上に形成された第2のパッドと、前記第1のパッドと前記第2のパッドとが接続された磁性材料と低融点金属とからなるバンプと、を具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/321
, H01L 21/60 311
