特許
J-GLOBAL ID：200903020147000169
ホトマスクの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-179636
公開番号（公開出願番号）：特開平6-027635
出願日： 1992年07月07日
公開日（公表日）： 1994年02月04日
要約：
【要約】【目的】 シフターのドライエッチング時に遮光膜を痛めることなく位相シフターパターンを形成する。【構成】 光学的に透明な基板1上に、位相シフターとして用いる無機質で光学的に透明な膜4と遮光膜2を積層した構造のマスク基板に、第1のレジスト5を塗布し、露光によりレジストをパターニングし、これをマスクとして遮光膜2を除去した上で、第1のレジスト5を除去せずに第2のレジスト7を塗布、露光、現像の上、第1のレジスト5と第2のレジスト7をマスクとして位相シフターである透明な膜4を所定量だけ除去して位相シフターパターンを形成する。
請求項（抜粋）：
光学的に透明な基板上に、無機質でかつ光学的に透明な膜と遮光膜と第1のレジストをこの順に設ける工程と、前記第1のレジストをマスクに前記遮光膜を除去する工程と、前記第1のレジストを除去せずに第2のレジストを設ける工程と、前記第1及び第2のレジストをマスクに前記無機質でかつ光学的に透明な膜を除去した後、前記第1及び第2のレジストを除去する工程からなるホトマスクの製造方法。
IPC (2件)：
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