特許

J-GLOBAL ID：200903020149154406

半導体集積回路

発明者： 竹島 俊夫
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-298347
公開番号（公開出願番号）：特開2000-124785
出願日： 1998年10月20日
公開日（公表日）： 2000年04月28日
要約：

【要約】【課題】 低電圧動作を行わせるために低閾値電圧のMOSFETで構成した回路群の安定動作と低消費電力化(リーク電流の低減)を実現する。【解決手段】 スタンバイ状態からアクティブ動作に入るときの各回路群A,B,C,Dの出力がアクティブ動作からスタンバイ状態に入るときと同じ論理レベルを取るように、各回路群A,B,C,Dの出力部に、レベル維持が異なる信号レベル維持手段S1,S2をそれぞれ有している。スタンバイ時T2に回路群A,B,C,Dに供給される供給電圧Vccaは、回路群A,B,C,Dのリーク電流により接地電位Vssに近いレベルまで低下するが、信号レベル維持手段S1,S2は、各回路群A,B,C,Dの出力がアクティブ動作からスタンバイ状態に移行するときに、回路群A,B,C,Dの各出力a,b,c,dをH,L,H,Hのレベルに維持する。

請求項（抜粋）：

低電圧動作を行わせるために低閾値電圧のMOSFETで構成した回路群を有する半導体集積回路であって、信号レベル維持手段を有し、前記信号レベル維持手段は、スタンバイ状態からアクティブ動作に入るときの各回路群の出力がアクティブ動作からスタンバイ状態に入るときと同じ論理レベルに維持するものであることを特徴とする半導体集積回路。

IPC (4件)：

H03K 19/00 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H03K 19/003

FI (3件)：

H03K 19/00 A ,  H03K 19/003 B ,  H01L 27/04 F

Fターム (25件)：

5F038AV06 ,  5F038BE09 ,  5F038BH19 ,  5F038CD16 ,  5F038DF08 ,  5F038DF14 ,  5F038DF16 ,  5F038EZ20 ,  5J032AB02 ,  5J032AC01 ,  5J032AC14 ,  5J056AA00 ,  5J056BB10 ,  5J056BB18 ,  5J056BB40 ,  5J056BB49 ,  5J056CC00 ,  5J056DD13 ,  5J056DD28 ,  5J056EE11 ,  5J056EE13 ,  5J056FF07 ,  5J056FF08 ,  5J056GG09 ,  5J056KK01

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-094070   出願人：株式会社日立製作所