表面処理方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大胡典夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-292884
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168076
出願日： 2000年09月26日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：

【要約】【課題】環境負荷が小さな表面処理方法を提供すること。【解決手段】本発明の表面処理方法は,第1の分子と第2の分子とが分子間力により結合してなるクラスタを気相で生成し、前記クラスタの生成に伴って生じたエネルギーの少なくとも一部を利用して前記クラスタに含まれる前記第1の分子を反応性のより高い状態とし、前記反応性のより高い状態とされた第1の分子を含むクラスタを用いて被処理体の表面を気相で処理する工程を具備することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

第1の分子と第2の分子とが分子間力により結合してなるクラスタを気相で生成し、前記クラスタの生成に伴って生じた内部エネルギーの少なくとも一部を利用して前記クラスタに含まれる前記第1の分子を反応性のより高い状態とし、前記反応性のより高い状態とされた第1の分子を含むクラスタを用いて被処理体の表面を気相で処理する工程を具備することを特徴とする表面処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 645 , H01L 21/3065 , H01L 21/316

FI (4件)：

H01L 21/304 645 Z , H01L 21/316 B , H01L 21/316 A , H01L 21/302 N

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