特許

J-GLOBAL ID：200903020153357273

半導体短光パルス発生装置および短光パルスの発生方法

発明者： 宮澤 丈夫 ,  岩村 英俊
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 志賀 正武
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-253959
公開番号（公開出願番号）：特開平5-095152
出願日： 1991年10月01日
公開日（公表日）： 1993年04月16日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 本発明は、超高速光通信に必要な短光パルスをモードロック法によって発生させることを目的とする。【構成】 半導体ダブルヘテロ接合部を備えた光増幅領域22と、該光増幅領域の発光波長より短波長に光吸収端36を有し量子井戸層をはさむ半導体ダブルヘテロ接合によって構成される光変調領域24と、該光変調領域の吸収端より短波長に光吸収端をもつ半導体層ないしは量子井戸層をコア層とする光導波路領域23の3つの領域を、同一平面内で直列に接続し、該3つの領域が直列配置された構造の両端部に光の反射面を形成したものである。【効果】 光増幅領域で光を発生させ、光変調領域への印可電圧を変調し、光変調領域の損失を変調することによって全体での利得を変調してモードロックを起こし、短光パルスを発生させることができる。

請求項（抜粋）：

半導体ダブルヘテロ接合部を備えた光増幅領域と、該光増幅領域の発光波長より短波長に光吸収端を有し量子井戸層をはさむ半導体ダブルヘテロ接合によって構成される光変調領域と、該光変調領域の吸収端より短波長に光吸収端をもつ半導体層ないしは量子井戸層をコア層とする光導波路領域の3つの領域が、同一平面内で直列に接続され、該3つの領域が直列配置された構造の両端部に光の反射面が形成されてなることを特徴とする半導体短光パルス発生装置。

IPC (2件)：

H01S 3/103 ,  H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭58-202581
  
• 特開昭64-073688
  
• 特開平3-091282