特許
J-GLOBAL ID：200903020164389762
半導体装置とその製造方法及びリードフレームとその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
横山 淳一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-015108
公開番号（公開出願番号）：特開2001-210776
出願日： 2000年01月24日
公開日（公表日）： 2001年08月03日
要約：
【要約】 Cuで形成された部材を黒化処理したものを用いた半導体装置とその製造方法において、半導体装置の製造過程および実装時の高熱が加わっても封止樹脂とCuの部材との密着力が低下しない半導体装置とその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】基材の表面に黒化処理層が設けられた銅(Cu)または銅合金で形成されたリードフレームと、該リードフレームの所定の場所に固定されたチップと、該チップと電気的に接続された複数の内部端子と、上記リードフレーム、チップ及び内部端子を封止する封止樹脂とを有し、該黒化処理層と該基材との間に該基材の表面を酸化させた第1酸化銅(Cu2O)層を設けた半導体装置により構成する。
請求項（抜粋）：
基材の表面に黒化処理層が設けられた銅(Cu)または銅合金で形成された放熱板と、該放熱板の所定の場所に固定されたチップと、該放熱板上に絶縁材を介して設けられ、チップと電気的に接続された複数の内部端子と、上記放熱板、チップ及び内部端子を封止する封止樹脂とを有し、該黒化処理層と該基材との間に該基材の表面を酸化させた第1酸化銅(Cu2O)層を設けることを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 23/50 V
, H01L 23/50 F
