特許
J-GLOBAL ID：200903020165666654
半導体中の不純物の活性化方法および半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-305519
公開番号（公開出願番号）：特開2001-127002
出願日： 1999年10月27日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：
【要約】【課題】 半導体の目的とする部位の不純物を高い活性化率および良好な均一性でしかも簡便に活性化する。【解決手段】 不純物がドープされた半導体、例えばMgのようなp型不純物がドープされたGaNなどの窒化物系III-V族化合物半導体に光、特にレーザ光を照射することにより不純物の活性化を行う場合に、不純物の活性化を行うべき半導体の厚さをdとしたとき、半導体の吸収係数がα=1/dとなる光子エネルギーを半導体の実測のバンドギャップEg-realとし、光子エネルギーがEg-real±0.5eVの範囲の光を用いる。半導体に光を照射しながら基板温度を変化させるようにしてもよい。この不純物の活性化方法を例えばGaN系半導体レーザの製造におけるp型層の形成に用いる。
請求項（抜粋）：
不純物がドープされた半導体に光を照射することにより上記不純物の活性化を行うようにした半導体中の不純物の活性化方法であって、上記光の照射により上記不純物の活性化を行うべき上記半導体の厚さをdとしたとき、上記半導体の吸収係数がα=1/dとなる光子エネルギーを上記半導体の実測のバンドギャップEg-realとし、上記光として光子エネルギーがEg-real±0.5eVの範囲の光を用いるようにしたことを特徴とする半導体中の不純物の活性化方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/268 F
, H01S 5/343
5F073AA13
, 5F073AA45
, 5F073AA74
, 5F073CA07
, 5F073CB05
, 5F073CB07
, 5F073CB19
, 5F073DA05
, 5F073DA17
, 5F073DA25
, 5F073DA35
