特許
J-GLOBAL ID：200903020166185870
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-262130
公開番号（公開出願番号）：特開平8-125112
出願日： 1994年10月26日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：
【要約】【目的】 個々の半導体素子の形状や位置関係の制約を受けることなく、多様な形状の半導体素子の積層実装を可能にする。【構成】 同寸法の2つの第1の半導体素子1a、第2の半導体素子1bのパッド2a、2b上にネイルヘッドボンディングにてボール3a、3bを形成し、形成したボール3a、3bを押圧成形することにより平坦化してバンプ4a、4bを得るとともに、第1の半導体素子1aの平坦化したバンプ4aをキャリアテープ5bに支持されたリード5aと接続した後、残りのバンプ4aと第2の半導体素子1bに形成したバンプ4bとを直接に熱圧着することによりボンディングした半導体装置である。
請求項（抜粋）：
リードの内端部に第1のバンプを介して接続された第1の半導体素子と、前記リードを介して前記第1の半導体素子に対向し、前記リードあるいは当該リードの支持構造の厚さ寸法よりも高さの高い第2のバンプを介して当該第1の半導体素子に接続された第2の半導体素子とからなることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
