特許

J-GLOBAL ID：200903020169725590

薄膜製造方法および薄膜製造装置

発明者： ヘルムート ベニッシュ
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-217507
公開番号（公開出願番号）：特開2004-063607
出願日： 2002年07月26日
公開日（公表日）： 2004年02月26日
要約：

【課題】熱的ダメージ、粒子の衝突によるダメージを基板発生させないで、基板表面に酸化膜を形成する薄膜製造方法を提供する。【解決手段】被酸化物質41の蒸発ガスとオゾンO3 もしくはオゾンを含むガスとを基板31表面に供給し、被酸化物質41の蒸発ガスとオゾンO3 を構成する酸素とを化学的に反応させて酸化物を生成し、この酸化物を基板31表面に堆積して酸化膜33を形成する薄膜製造方法であり、これを実現する薄膜製造装置1は、チャンバ11と、基板31を保持するものでチャンバ11内に設けた基板保持部12と、被酸化物質41を収納するものでチャンバ11内に設置された被酸化物質供給部13と、被酸化物質41を加熱させる加熱源14と、基板保持部12に保持される基板31表面にオゾンO3 を供給するオゾン供給部15とを備えたものである。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板表面に被酸化物質を蒸発させてなるガスとオゾンもしくはオゾンを含むガスとを供給し、 前記被酸化物質を蒸発させてなるガスと前記オゾンを構成する酸素とを化学的に反応させて酸化物を生成し、 前記生成した酸化物を前記基板表面に堆積して酸化膜を形成する ことを特徴とする薄膜製造方法。

IPC (3件)：

H01L21/316 ,  C23C14/24 ,  H01L21/31

FI (3件)：

H01L21/316 X ,  C23C14/24 M ,  H01L21/31 B

Fターム (17件)：

4K029BA43 ,  4K029BA50 ,  4K029CA02 ,  4K029DA06 ,  4K029DB18 ,  4K029DB21 ,  5F045AA18 ,  5F045AB31 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BD05 ,  5F058BF17 ,  5F058BF29 ,  5F058BJ04 ,  5F058BJ10