特許
J-GLOBAL ID：200903020173196586
半導体処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鵜沼 辰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-232994
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094419
出願日： 1993年09月20日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：
【要約】【目的】 成膜装置あるいはエッチング装置において均一で再現性のよい処理を可能にする。【構成】 2枚の平行平板ヒータ1により形成される加熱空間内に偏平な反応管2を設け、その内部に処理対象のウエハ3を支持するウエハ3より大きい矩形の支持板8を配置し、反応管2の両端にガス供給口4と排気口5とをそれぞれ設け、反応管2内を流れるガスの流れ方向を切り換え可能とした成膜装置。
請求項（抜粋）：
加熱炉内部に反応管を収納し、該反応管の内部に半導体ウエハを収納して加熱し、該反応管内を排気しながらガスを供給してウエハ表面への薄膜の形成または、エピタキシャル成長を行う半導体処理装置において、該加熱炉および該反応管が概略偏平な形状であって、前記反応管は同時に1枚乃至2枚のウエハを概略水平に保持して処理するものであることを特徴とする半導体処理装置。
IPC (2件)：
H01L 21/205
, H01L 21/3065
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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