特許
J-GLOBAL ID：200903020173682227

絶縁膜の形成方法

発明者：
松澤 伸行

松澤 伸行 について

, 
長谷川 利昭

長谷川 利昭 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-095159
公開番号（公開出願番号）：特開平9-167764
出願日： 1996年04月17日
公開日（公表日）： 1997年06月24日
要約：
【要約】【課題】 酸化シリコン膜上に有機材料よりなる絶縁膜(有機絶縁膜)をボイドを生じさせることなく、長期に亘って安定に接着可能とする絶縁膜の形成方法を提供する。【解決手段】 酸化シリコン膜上に有機絶縁膜を形成するに先んじて、酸化シリコン膜の表面を水酸基化し、該酸化シリコン膜の表面にシランカップリング剤を塗布する。有機絶縁膜としてフッ素系樹脂を用いる場合には、シランカップリング剤としてフッ素原子を含有する化合物を用いるとよい。
請求項（抜粋）：
酸化シリコン膜の表面にシランカップリング剤を保持させた後、有機材料よりなる絶縁膜を積層することを特徴とする絶縁膜の形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/312 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/768
FI (3件)：
H01L 21/312 N ,  H01L 21/316 P ,  H01L 21/90 P
引用特許：
審査官引用 (8件)
  • 特開昭52-106679
  • 特開昭62-172081
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-347178   出願人：松下電器産業株式会社
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