特許
J-GLOBAL ID:200903020174309058

希土類磁石及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 木森 有平
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-093839
公開番号(公開出願番号):特開2005-285859
出願日: 2004年03月26日
公開日(公表日): 2005年10月13日
要約:
【課題】 表面の加工劣化層を実用的、且つ簡便な手法により十分に回復させる技術を提供する。【解決手段】 磁石素体が希土類元素を主体とする化学気相成長膜により被覆され、表面が回復処理されている。磁石素体は、希土類元素、遷移金属元素及びホウ素を含む原料合金微粉を成形した成形体が焼結されてなる希土類焼結磁石である。磁石素体は、厚さ2mm以下である。化学気相成長膜は、膜厚方向において組成に分布を有するようにしてもよい。また、化学気相成長膜上に、耐食性材料を含む被膜を成膜してもよい。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
磁石素体が希土類元素を主体とする化学気相成長膜により被覆され、表面が回復処理されていることを特徴とする希土類磁石。
IPC (9件):
H01F41/02 ,  B22F3/00 ,  B22F3/24 ,  C21D6/00 ,  C22C38/00 ,  C23C16/18 ,  C23C30/00 ,  H01F1/053 ,  H01F1/08
FI (11件):
H01F41/02 G ,  B22F3/00 F ,  B22F3/24 B ,  B22F3/24 G ,  B22F3/24 102Z ,  C21D6/00 B ,  C22C38/00 303D ,  C23C16/18 ,  C23C30/00 C ,  H01F1/08 B ,  H01F1/04 H
Fターム (37件):
4K018AA27 ,  4K018AB10 ,  4K018AC01 ,  4K018BA18 ,  4K018BB04 ,  4K018BC08 ,  4K018BC11 ,  4K018BC12 ,  4K018BD01 ,  4K018CA04 ,  4K018DA03 ,  4K018DA23 ,  4K018DA32 ,  4K018DA33 ,  4K018FA06 ,  4K018FA08 ,  4K018FA23 ,  4K018FA25 ,  4K018KA45 ,  4K030AA11 ,  4K030BA01 ,  4K030CA02 ,  4K044AA02 ,  4K044BA06 ,  4K044BB03 ,  4K044BC14 ,  4K044CA14 ,  4K044CA62 ,  5E040AA04 ,  5E040BC01 ,  5E040BD01 ,  5E040NN01 ,  5E040NN18 ,  5E062CD04 ,  5E062CG02 ,  5E062CG03 ,  5E062CG07
引用特許:
出願人引用 (2件) 審査官引用 (7件)
  • 特開昭62-188745
  • 特開昭62-120002
  • 特開昭62-188745
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