MIS電界効果半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：柏谷昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-053658
公開番号（公開出願番号）：特開平6-267975
出願日： 1993年03月15日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：

【要約】【目的】 MIS電界効果半導体装置の製造方法に関し、LDD構造の製造工程に極簡単な改変を加えることで、注入の再分布を良好に抑制し、設計値通りの不純物低濃度領域が得られるようにする。【構成】 SiO2 のフィールド絶縁膜2が形成された基板1にSiO2 のゲート絶縁膜3を介してゲート電極4を形成し、ゲート電極4の側壁にSi3 N4 のサイド・ウォールを形成し、前記サイド・ウォールでセルフ・アライメントさせてBを導入し、前記サイド・ウォールの除去後にBの活性化熱処理をして高不純物濃度ソース領域6と高不純物濃度ドレイン領域7を形成し、再びBを導入し、全面に絶縁膜を形成してから前記導入したBの活性化熱処理をして低不純物濃度ソース領域9と低不純物濃度ドレイン領域10を形成し、前記全面に形成した絶縁膜をエッチングして再びゲート電極4の側壁を覆うサイド・ウォール11を形成する。

請求項（抜粋）：

二酸化シリコンからなるフィールド絶縁膜が形成されたシリコン半導体基板上に二酸化シリコンからなるゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程と、次いで、二酸化シリコンとはエッチング液或いはエッチング・ガスを異にする材料でゲート電極の側壁を覆うサイド・ウォールを形成する工程と、次いで、チャネル領域側のエッジを前記サイド・ウォールに依ってセルフ・アライメントさせて高不純物濃度ソース領域及び高不純物濃度ドレイン領域を形成する為の不純物を導入する工程と、次いで、前記サイド・ウォールを除去してから前記導入した不純物を活性化する熱処理を行なって高不純物濃度ソース領域及び高不純物濃度ドレイン領域を形成する工程と、次いで、前記のサイド・ウォールを除去した状態で低不純物濃度ソース領域及び低不純物濃度ドレイン領域を形成する為の不純物を導入する工程と、次いで、全面に絶縁膜を形成してから前記導入した不純物を活性化する熱処理を行なって低不純物濃度ソース領域及び低不純物濃度ドレイン領域を形成する工程と、次いで、前記全面に形成した絶縁膜をエッチングして再びゲート電極の側壁を覆うサイド・ウォールを形成する工程とが含まれてなることを特徴とするMIS電界効果半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/336 , H01L 29/784 , H01L 21/265

FI (3件)：

H01L 29/78 301 P , H01L 21/265 W , H01L 29/78 301 L

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平4-240765
特開昭63-219152
特開平3-270137

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