特許
J-GLOBAL ID：200903020184876252
層状酸化物超伝導体を用いた高温単電子対トンネル素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
清水 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-256478
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091654
出願日： 1998年09月10日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 サブミクロン平方オーダー以下のトンネル接合層を備え、その接合数を可変にすることにより液体ヘリウム温度(4.2K)以上で動作可能な層状酸化物超伝導体を用いた高温単電子対トンネル素子の製造方法を提供する。【解決手段】 電気伝導層とトンネル障壁層からなる積層状結晶構造を持つ層状酸化物超伝導体を用いた高温単電子対トンネル素子の製造方法において、層状酸化物超伝導体の針状単結晶1を、集束イオンビーム装置のホルダーに固定する工程と、イオンビーム加工により単結晶1の片面の所定位置にx方向の長さ、y方向の幅とz方向の単結晶1の厚さの半分以上の深さを有する第1の細い溝3を形成する工程と、加工した単結晶を銀ペーストで固定する工程と、第1の細い溝3と同一長さ、幅及び深さを有する第2の細い溝5を第1の細い溝3の平行線上に加工する工程と、不要に残った部分を除去する工程とを施す。
請求項（抜粋）：
電気伝導層とトンネル障壁層からなる積層状結晶構造を持つ層状酸化物超伝導体を用いた高温単電子対トンネル素子の製造方法において、(a)層状酸化物超伝導体の針状単結晶を用意し、集束イオンビーム装置のホルダーに固定する工程と、(b)イオンビーム加工により前記単結晶の片面の所定位置にx方向の長さ、y方向の幅とz方向の前記単結晶の厚さの半分以上の深さを有する第1の細い溝を形成する工程と、(c)前記第1の細い溝の輪郭を示すように、前記単結晶の厚さを貫通する深さまで標識となる小さいスポットを作る工程と、(d)その加工した単結晶の面を裏返しにして4端子測定に用いるために銀ペーストで固定する工程と、(e)前記スポットから目的とする接合の大きさに合わせたx方向の所定間隔をおいて、前記第1の細い溝と同一長さ、幅及び深さを有する第2の細い溝を前記第1の細い溝の平行線上に加工する工程と、(f)xy面上に長方形の接合を作製するためにエッジの部分をトリミングする工程と、(g)不要に残った部分を除去する工程とを施すことを特徴とする層状酸化物超伝導体を用いた高温単電子対トンネル素子の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 39/24 J
, H01L 39/22 A
4M113AA01
, 4M113AA06
, 4M113AA16
, 4M113AA23
, 4M113AA24
, 4M113AA25
, 4M113AD62
, 4M113AD63
, 4M113BA01
, 4M113BA14
, 4M113BA29
, 4M113BA30
, 4M113BC04
, 4M113CA33
, 4M113CA34
, 4M113CA35
