特許

J-GLOBAL ID：200903020186171965

電界プログラム可能なフィルムに基づくメモリデバイス

発明者： ヤン ヤン ,  ジェンヨン オウヤン ,  チャールズ アール.スマンダ
出願人/特許権者： ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア ,  ローム アンド ハース カンパニー
代理人 (3件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-256613
公開番号（公開出願番号）：特開2005-101594
出願日： 2004年09月03日
公開日（公表日）： 2005年04月14日
要約：

【課題】電界プログラム可能なフィルムに基づくメモリデバイスを提供する。【解決手段】電界プログラム可能なフィルム1を形成するための組成物であって、マトリックス前駆体組成物又は有機ポリマー及び/又は無機酸化物を含む誘電性マトリックス材料;及び電界プログラミングのために有効なタイプ及び量の電子供与体D及び電子受容体Aを含む組成物。当該フィルムは、クロスポイントアレイデータ格納デバイス、スタックデータ格納デバイスに有用である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

マトリックス前駆体組成物、又は有機ポリマー及び/又は無機酸化物を含む誘電性マトリックス材料;及び 電界プログラミングのために有効なタイプ及び量の電子供与体及び電子受容体 を含む、電界プログラム可能なフィルムを形成するための組成物。

IPC (4件)：

H01L27/10 ,  C08K3/22 ,  C08K5/00 ,  C08L101/00

FI (5件)：

H01L27/10 449 ,  H01L27/10 451 ,  C08K3/22 ,  C08K5/00 ,  C08L101/00

Fターム (38件)：

4J002BB001 ,  4J002BD031 ,  4J002BD051 ,  4J002BD101 ,  4J002BD121 ,  4J002BD151 ,  4J002BF001 ,  4J002BG061 ,  4J002CF001 ,  4J002CF161 ,  4J002CG001 ,  4J002CH091 ,  4J002CK021 ,  4J002CL001 ,  4J002CM041 ,  4J002CN011 ,  4J002CN031 ,  4J002CP031 ,  4J002DE046 ,  4J002DE096 ,  4J002DE136 ,  4J002EA067 ,  4J002EN067 ,  4J002EU057 ,  4J002EV317 ,  4J002GQ00 ,  4J002GT00 ,  5F083FZ07 ,  5F083FZ10 ,  5F083JA02 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA60