パワー半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-087080
公開番号（公開出願番号）：特開平6-302639
出願日： 1993年04月14日
公開日（公表日）： 1994年10月28日
要約：

【要約】【目的】耐熱疲労特性に優れたワイヤボンデイング材料構造を有するパワー半導体装置を提供すること。【構成】IGBTおよびダイオードチップを絶縁基板上の共通電極板に多数個並列配置したモジュールにおいて、前記IGBTおよびダイオードのAl電極と共通電極板およびゲート電極板とが直径550μmのAlワイヤにより、接合長さが500〜800μmの範囲で、かつ、つぶれ幅の接合長さに対する比が0.9-1.2の範囲になるように超音波接続されている。【効果】実使用時の熱疲労に対して強い構造が出来る。大電流通電時に発生するエレクトロマイグレーションもおこりにくい。

請求項（抜粋）：

パワー半導体チップ上のAl電極表面と、素子外部の電極とを複数本の金属ワイヤによって接続したパワー半導体において、前記金属ワイヤはアルミニウムで、直径550μmであり、接合長さは500から800μmの範囲にあり、かつつぶれ幅の接合部長さに対する比が0.9-1.2の範囲にあることを特徴とするパワー半導体装置。

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