特許

J-GLOBAL ID：200903020198302062

デオキシヌクレオシドの製造方法

発明者： サングヴィ,ヨゲシュ・エス ,  グオ,ジキアン
出願人/特許権者： アイシス・ファーマシューティカルス・インコーポレーテッド
代理人 (6件)： 社本 一夫 ,  増井 忠弐 ,  小林 泰 ,  千葉 昭男 ,  富田 博行 ,  中田 隆
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-570811
公開番号（公開出願番号）：特表2004-521063
出願日： 2001年03月22日
公開日（公表日）： 2004年07月15日
要約：

デオキシヌクレオシドをその対応するリボヌクレオシドから製造する方法であって、そのリボヌクレオシドの3-tert-ブチルフェノキシチオカルボニル誘導体を生成させた後に脱酸素されるべき炭素原子においてラジカル脱酸素を行なうことによる方法。

請求項（抜粋）：

2’-デオキシヌクレオシドの製造方法であって: リボヌクレオシドを選択する工程; 前記リボヌクレオシドを少なくとも1種の保護剤で、3’-O,5’-O-ビス保護リボヌクレオシドを生成させるのに効果的な時間及び条件下で処理する工程; 前記3’-O,5’-O-ビス保護リボヌクレオシドをクロロチオノギ酸tert-ブチルフェニルの異性体混合物と、前記ビス保護リボヌクレオシドの含異性体2’-O-tert-ブチルフェノキシチオカルボニル誘導体を生成させるのに効果的な時間及び条件下で接触させる工程;及び 前記誘導体を還元剤で、前記2’-デオキシヌクレオシドを与えるのに効果的な時間及び条件下で処理する工程 を含んでなる方法。

IPC (3件)：

C07D473/34 ,  C07H19/073 ,  C07H19/173

FI (3件)：

C07D473/34 311 ,  C07H19/073 ,  C07H19/173

Fターム (9件)：

4C057AA03 ,  4C057CC03 ,  4C057DD01 ,  4C057LL10 ,  4C057LL14 ,  4C057LL17 ,  4C057LL19 ,  4C057LL29 ,  4C057LL42