特許

J-GLOBAL ID：200903020202502519

スパッタ装置及び堆積膜形成方法

発明者： 安藤 謙二 ,  鈴木 康之 ,  枇榔 竜二
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 丸島 儀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-011701
公開番号（公開出願番号）：特開平9-202968
出願日： 1996年01月26日
公開日（公表日）： 1997年08月05日
要約：

【要約】【課題】 予備的なデータ蓄積を必要とせず、簡単な構成で、長期にわたって成膜速度を安定にする。【解決手段】 プラズマのリアクタンス、高周波電圧または自己バイアス電圧を一定に保つように、チャンバー内壁面とプラズマとの接触面積を可動板により調整する。

請求項（抜粋）：

カソードに高周波を印加してプラズマを発生させ、プラズマ中のイオンを加速してターゲット材料を飛び出させ基板に薄膜を形成させるスパッタ装置に於いて、チャンバー内壁面とプラズマとの接触面積を変化させる機構を有することを特徴とするスパッタ装置。

IPC (7件)：

C23C 14/34 ,  C23C 14/54 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316 ,  H05H 1/46 ,  C23C 14/35

FI (7件)：

C23C 14/34 U ,  C23C 14/54 B ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/31 D ,  H01L 21/316 Y ,  H05H 1/46 A ,  C23C 14/35 Z