特許
J-GLOBAL ID:200903020203407013

磁気抵抗用磁性膜およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 北村 欣一 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-083537
公開番号(公開出願番号):特開平6-295819
出願日: 1993年04月09日
公開日(公表日): 1994年10月21日
要約:
【要約】【目的】 従来のパーマロイ系磁性膜よりも磁気抵抗比を向上させた磁気抵抗用磁性膜と、その製造方法。【構成】 パーマロイ系合金中にN、O、C、Bのいずれか1種類、またはその複数を微量に含まれている磁気抵抗用磁性膜、およびN、O、C、Bの元素を含む希ガス雰囲気中でパーマロイ系合金をスパッタリングして基板上にパーマロイ系合金中にN、O、C、Bのいずれか1種類、またはその複数を含まれている磁性膜を製造する方法。
請求項(抜粋):
パーマイロ系合金またはニッケル・コバルト合金等の磁気抵抗用合金から成る磁気抵抗用磁性膜であって、該磁気抵抗用合金中にN、O、C、Bの少なくとも1種類を0.05at%ないし5at%含むことを特徴とする磁気抵抗用磁性膜。
IPC (5件):
H01F 10/14 ,  C23C 14/06 ,  H01F 41/14 ,  H01L 43/02 ,  H01L 43/12
引用特許:
審査官引用 (6件)
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