特許
J-GLOBAL ID:200903020205444609
難溶性分子の超薄膜作製法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
筒井 知
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-350965
公開番号(公開出願番号):特開2001-163611
出願日: 1999年12月10日
公開日(公表日): 2001年06月19日
要約:
【要約】【課題】 真空蒸着法を用いずウェット・プロセスにより難溶性の各種の分子から簡便にその超薄膜を作成することができる技術を提供する。【解決手段】 気液界面上に該気液界面を構成している液体に難溶性の分子を展開して該難溶性分子の薄膜を形成する工程、前記難溶性分子の薄膜を、電気化学的に脱離性の物質で修飾された金属基板上に移し取る工程、および、薄膜を移し取った前記修飾金属基板に溶液中で電位を印加することにより、該基板から前記修飾物質を電気化学的に脱離させる工程を含む難溶性分子の薄膜作製法。好ましい態様では、気液界面を構成する液体は水であり、電気化学的に脱離性の物質はハロゲンまたはイオウである。好ましい例として、電気化学的に脱離性の物質にヨウ素、金属基板に金を用いて、難溶性分子フラーレンの超薄膜が作製できる。
請求項(抜粋):
気液界面上に該気液界面を構成している液体に難溶性の分子を展開して該難溶性分子の薄膜を形成する工程、前記難溶性分子の薄膜を、電気化学的に脱離性の物質で修飾された金属基板上に移し取る工程、および、薄膜を移し取った前記修飾金属基板に溶液中で電圧を印加することにより、該基板から前記修飾物質を電気化学的に脱離させる工程を含むことを特徴とする難溶性分子の薄膜作製法。
IPC (4件):
C01B 31/02 101
, B01J 19/00
, B05D 1/20
, B05D 3/14
FI (4件):
C01B 31/02 101 F
, B01J 19/00 M
, B05D 1/20
, B05D 3/14
Fターム (22件):
4D075AB24
, 4D075BB81Z
, 4D075CA44
, 4D075DA06
, 4D075DB01
, 4D075DC22
, 4D075EB01
, 4D075EB49
, 4G046CA00
, 4G046CB03
, 4G046CC10
, 4G075AA24
, 4G075BB05
, 4G075BB10
, 4G075BD05
, 4G075BD17
, 4G075BD26
, 4G075CA13
, 4G075EA02
, 4G075EC21
, 4G075FB02
, 4G075FC11
引用特許:
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