特許

J-GLOBAL ID：200903020205994749

プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

発明者： 門村 新吾
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-205645
公開番号（公開出願番号）：特開平8-069896
出願日： 1994年08月30日
公開日（公表日）： 1996年03月12日
要約：

【要約】【目的】 高ドーズのイオン注入による変質硬化層を有するレジストマスクの、高スループットでクリーンかつ低ダメージなアッシング方法を提供する。【構成】 変質硬化層3は、ヘリコン波プラズマによる高密度プラズマでイオンモードを高め、かつ低温でアッシングし、ポッピングを防止する。次にヘリコン波の伝播に寄与する内周ソレノイドコイルを切り、誘導結合プラズマモードに切り替え、ラジカル性を高めて未変質部2をアッシングする。【効果】 1台の高密度プラズマ処理装置により、イオンモードとラジカルモードの処理が可能であり、被処理基板の搬送にともなうスループットの低下がない。ハロゲンランプによる基板加熱を併用すれば、さらに高速の処理が可能となる。

請求項（抜粋）：

誘電体材料からなるべルジャと、該べルジャを巻回するループ状RFアンテナと、該ループ状RFアンテナを巻回する内周ソレノイドコイルと、該内周ソレノイドコイルを巻回する外周ソレノイドコイルとを具備するプラズマ発生源と、該プラズマ発生源に連接し、被処理基板を載置した基板ステージを内蔵したプラズマ拡散チャンバを有するプラズマ処理装置であって、前記内周ソレノイドコイルへの通電を断続する手段を有することを特徴とする、プラズマ処理装置。

IPC (4件)：

H05H 1/46 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31