特許
J-GLOBAL ID：200903020206015744
内部ウインドウを持つ電子デバイスの製造
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡部 正夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-061820
公開番号（公開出願番号）：特開平6-334273
出願日： 1994年03月31日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】トップ電極の光出力用開口と整合した電流絞り用内部ウインドウを正確に形成してしきい値電流の小さな高性能の面発光レーザダイオードを製作する。【構成】基板14、超格子構造のDBRボタムミラー15、ボタム拘束(クラッド)層16、活性領域17、トップ拘束(クラッド)層18、超格子DBRトップミラー19、高導電率コンタクト層20、中央に光出力用開口をもつメタルのトップ電極13から成る垂直空洞面発光レーザにおいて、中央部にウインドウ23をもつ絶縁領域22をイオン注入法で形成する際に、トップ電極13に対して垂直方向から5〜10°傾斜した注入イオンビームの入射方向に平行な側面をもつホトレジスト移植(注入)マスク24を使用する。【効果】従来のホトレジスト移植マスクの場合、形の崩れたウインドウができたのに対し、エッジの鋭い形の整ったウインドウが得られ、レーザ性能が改善される。
請求項（抜粋）：
絶縁イオン移植領域内に内部ウインドウを持つ電子デバイスを製造するための方法であって、このデバイスが半導体構造及びこの構造に対するトップ及びボタム金属電極を含み、この方法が、前記トップ電極のトップ表面にホトレジスト層を移植イオンが前記トップ電極の下側に横たわる半導体材料に到達するのを阻止するのに十分な厚さに堆積し、前記ホトレジスト層をパターン化し、前記半導体材料内にプロトンイオンを移植し、中心に位置するウインドウを持つ絶縁領域を形成するステップを含み、前記ホトレジスト層が前記トップ表面に対する垂線に対して選択された角度を持ち、互いに平行であるマスクパターン側壁を生成するために反応性イオンエッチング(RIE)にて角度エッチングすることによってパターン化され、前記イオンの移植が前記ホトレジストパターンの側壁に対して平行に向けられたある角度にて遂行されることを特徴とする方法。
IPC (2件)：
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