特許
J-GLOBAL ID：200903020208843334
加速度センサの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 成示 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-167418
公開番号（公開出願番号）：特開平11-017195
出願日： 1997年06月24日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：
【要約】【課題】 加速度センサの感度特性を低下させることなく、ダイヤフラムの膜厚のばらつきを抑え、特性の安定と歩留りを向上させた加速度センサの製造方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板5の所定位置にて不純物濃度の高い第1埋め込み層6aを形成する工程と、第1埋め込み層6aと連接する位置にダイヤフラム2に対して大きなエッチング選択比を有する材料を用いて第2埋め込み層6bを形成する工程と、第1埋め込み層6a及び第2埋め込み層6b上にエピタキシャル成長を用いてダイヤフラム2を形成する工程と、第1埋め込み層6a上に形成されたダイヤフラム2上にピエゾ抵抗Rを形成する工程と、シリコン基板5の裏面から異方性エッチングを用いて重り部3の外周縁となる切り込み部8を形成する工程と、第2埋め込み層6bのみを等方性エッチングにて除去する工程と、第1埋め込み層6aを等方性エッチングにて除去する工程とを有するようにした。
請求項（抜粋）：
重り部と、薄肉のダイヤフラムと、該ダイヤフラムによって重り部を揺動自在に支持する支持部とをシリコン基板を加工して形成し、前記ダイヤフラムにピエゾ抵抗を備えた加速度センサの製造方法において、前記シリコン基板の所定位置にて不純物濃度の高い第1埋め込み層を形成する工程と、前記第1埋め込み層と連接する位置に前記ダイヤフラムに対して大きなエッチング選択比を有する材料を用いて第2埋め込み層を形成する工程と、前記第1埋め込み層及び前記第2埋め込み層上にエピタキシャル成長を用いて薄肉のダイヤフラムを形成する工程と、前記第1埋め込み層上に形成された前記ダイヤフラム上に前記ピエゾ抵抗を形成する工程と、前記シリコン基板の裏面から異方性エッチングを用いて前記重り部の外周縁となる切り込み部を形成する工程と、前記第2埋め込み層のみを等方性エッチングにて除去する工程と、前記第1埋め込み層を等方性エッチングにて除去する工程とを有するようにしたことを特徴とする加速度センサの製造方法。
IPC (5件)：
H01L 29/84
, G01L 9/04 101
, G01P 15/12
, H01L 21/306
, H01L 21/308
H01L 29/84 B
, G01L 9/04 101
, G01P 15/12
, H01L 21/308 E
, H01L 21/306 D
