特許
J-GLOBAL ID:200903020209235699

単結晶製造装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 生形 元重 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-047979
公開番号(公開出願番号):特開平9-208365
出願日: 1996年02月08日
公開日(公表日): 1997年08月12日
要約:
【要約】【課題】 CZ法による単結晶11の引上げにおいて、掃気のために炉内に流通させる不活性ガスの流量を増大することなく、その流速を上げる。流速を上げたときの融液10の表面の波立ちを抑える。【解決手段】 単結晶11を包囲し内側を不活性ガスが上から下へ通過する筒体6の内面に、螺旋状の突起7,7...を設ける。筒体6の下方へ流出する不活性ガスが旋回し、その流速が上がる。融液10の表面に対して斜めに不活性ガスが衝突し、その表面の波立ちが抑制される。
請求項(抜粋):
CZ法により原料融液から単結晶を引上げる単結晶製造装置であって、原料融液から引上げる単結晶を包囲し内側を不活性ガスが上から下へ通過する筒体を具備しており、該筒体の内側を流通する不活性ガスを旋回させるために、筒体内面に螺旋状の突起が設けられていることを特徴とする単結晶製造装置。
IPC (2件):
C30B 15/00 ,  C30B 15/20
FI (2件):
C30B 15/00 Z ,  C30B 15/20

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