特許

J-GLOBAL ID：200903020211546588

半導体装置およびその製造方法

発明者： 下岡 義明 ,  須黒 恭一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-221872
公開番号（公開出願番号）：特開平8-088224
出願日： 1994年09月16日
公開日（公表日）： 1996年04月02日
要約：

【要約】【目的】本発明は、従来の熱処理方式を用いて、上述の金属拡散の問題を生じない低温領域にて、信頼性の高い埋込型コンタクト、埋込型配線、または埋込型電極を有する半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。【構成】半導体基板上に設けられ、所望の電極または配線パターンに応じた開口部または溝が形成された絶縁膜と、前記絶縁膜の前記開口部または溝の内部に充填された多結晶金属層とを具備し、前記多結晶金属層は、結晶粒内に窒化物が形成される濃度より少なく窒素原子を含む金属からなることを特徴とする。また、半導体基板または前記半導体基板上に形成された絶縁膜に開口部または溝を形成し、前記半導体基板または前記絶縁膜上に窒化物が形成される濃度より少なく窒素原子を含む金属からなる多結晶または非晶質金属層を形成し、この半導体基板に熱処理を施すことにより、前記開口部または溝を前記金属からなる多結晶金属層で充填することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に設けられ、所望の電極または配線パターンに応じた開口部または溝が形成された絶縁膜と、前記絶縁膜の前記開口部または溝の内部に充填された多結晶金属層とを具備し、前記多結晶金属層は、結晶粒内に窒化物が形成される濃度より少なく窒素原子を含む金属からなることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/88 B ,  H01L 21/88 R ,  H01L 21/90 D