特許
J-GLOBAL ID：200903020224137180
GaN系の半導体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小西 富雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-280711
公開番号（公開出願番号）：特開平11-177142
出願日： 1998年10月02日
公開日（公表日）： 1999年07月02日
要約：
【要約】【目的】 Si基板上に形成されたGaN系の半導体層にクラックが入らないようにする。【構成】 Si製の基板とGaN系の半導体層との間にTi製の層を介在させる。このTi製の層はSi製の基板の上にGaN系の半導体からなる第1の層を介して形成されている。
請求項（抜粋）：
Si製の基板と、該Si製の基板上に形成されたGaN系の半導体からなる第1の層と、該第1の層の上に形成されたTiからなる第2の層と、該第2の層の上に形成されたGaN系の半導体層と、を備えてなるGaN系の半導体素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 33/00 C
, H01L 21/205
