特許

J-GLOBAL ID：200903020225554141

半導体記憶装置

発明者： 溝川 敏男 ,  米山 敦夫
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-038121
公開番号（公開出願番号）：特開平9-231766
出願日： 1996年02月26日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：

【要約】【課題】 半導体記憶装置の消費電力を削減するとともに、読み出し時のデータ処理の適正化を図る。【解決手段】 アドレス判定回路1でアドレス信号Aがメモリセルが存在しないアドレスを指定したか否かを判定する。アドレス判定回路1でメモリセルが存在しないアドレスを指定したと判定したときに、制御回路2がリードイネーブル信号B ́によりセンスアンプ部3に非動作状態とするように指示する。

請求項（抜粋）：

メモリセルアレイを構成している複数のメモリセルの中から、行デコーダ部及び列デコーダ部でデコードされるアドレス信号により指定される行及び列に配置されたメモリセルを選択するとともに、該メモリセルに記憶されているデータの読み出しまたは書き込みに関する処理を実行する半導体記憶装置において、イネーブル信号により動作状態が制御され、データの読み出しまたは書き込みのうちの所定の動作を実行可能な実行回路部と、メモリセルのアドレスに関する信号を用いてメモリセルが存在しているアドレスの指定が行われているか否かを判定するアドレス判定回路と、前記アドレス判定回路の判定結果を基に、前記処理の実行時においてメモリセルが存在していないアドレスが指定されているときには前記実行回路部を非動作状態とするようなイネーブル信号を生成する制御回路とを備える、半導体記憶装置。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭64-019582
  
• 特開昭63-279490