特許

J-GLOBAL ID：200903020227941592

光記録膜作製用高純度ターゲツトおよびその製造法

発明者： 西野 勇 ,  天羽 隆一 ,  行方 清隆 ,  永田 長寿
出願人/特許権者： 同和鉱業株式会社
代理人 (1件)： 丸岡 政彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-224566
公開番号（公開出願番号）：特開平5-047053
出願日： 1991年08月09日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：

【要約】【目的】 記録、再生および消去特性に優れる高純度かつ高密度な光記録膜作製用ターゲットおよびその製造法の提供。【構成】 母合金として、純度が6N(99.9999 %)以上のGe、SbおよびTeをGeSb2 Te4 になるように秤量し、これらを高純度カーボン製るつぼに入れ、アルゴンガス雰囲気下において約 800°Cの温度で2分間加熱反応を行って溶解し、得られた溶湯を冷却した鋳型に流し込み、厚さ 5mmの平板状に急冷鋳造し、 605°C近傍に融点を持つGeSb2 Te4 の金属間化合物を得る。この金属間化合物をスタンプミルにより乾式粉砕し、-150メッシュに分級して、これを高純度カーボン製の容器に詰め、アルゴンと水素の混合ガス(Ar+4%H2 )雰囲気中において、温度 560°C、圧力150kgf/cm2 にて2時間の焼結を行う。得られた焼結体を機械加工して、直径 100mm、厚さ 5mmのターゲットとする。

請求項（抜粋）：

x、yおよびzで表わされる原子%が 1≦x≦55、 3≦y≦80、20≦z≦65の範囲である式:GexSby Tez の3元系金属間化合物または合金の焼結体からなるターゲットであって、該焼結体の純度が99.999wt%(5N)以上であり、かつ理論密度に対する焼結体密度の比率が95%以上であることを特徴とする光記録膜作製用高純度ターゲット。

IPC (2件)：

G11B 7/26 531 ,  B41M 5/26

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-162570
  
• 特開昭63-100632
  
• 特開昭62-114137
  
• 特開昭63-237990