特許
J-GLOBAL ID：200903020244316944
共役重合体と受容体のヘテロ接合体;ダイオード、フォトダイオード及び光電池
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中島 淳 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-506524
公開番号（公開出願番号）：特表平8-500701
出願日： 1993年08月17日
公開日（公表日）： 1996年01月23日
要約：
【要約】本発明は概して、半導休(共役)重合体と、例えば、フラーレン、特に、バックミンスターフラーレン、C60、等の受容体から、ヘテロ接合ダイオードを製造することに係り、詳細には、フォトダイオード及び光電池等のヘテロ接合構造体を使用することに関する。
請求項（抜粋）：
(a)ドナーとしての共役重合体の層と、(b)前記層に近接するとともに、フラーレン、置換フラーレン、フラーレン誘導体、及びフラーレン又は置換フラーレンを有する重合体の群から成る群から選択される受容体を有する受容体材料、又は以下のステップによって定義される光始動電荷分離を可能する範囲にある電気陰性度を有する有機受容体又は重合受容体、から成る層、 を有するヘテロ接合デバイス。 ここで、ドナー(D)と受容体(A)の単位は、共有結合(分子内)か、共有結合のみならず空間的に近接している(分子間)か、の何れかであり、「1,3」は一重項又は三重項の励起状態である。
IPC (3件)：
H01L 51/00
, H01L 31/04
, H01L 31/10
H01L 29/28
, H01L 31/04 D
, H01L 31/10 A
