特許
J-GLOBAL ID：200903020247391939
ポリイミド・パターンの形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-072080
公開番号（公開出願番号）：特開平6-120645
出願日： 1993年03月30日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：
【要約】【構成】この発明は、非感光性ポリイミド前駆体を用いポリイミド・パターンを形成するに際して、銅配線上に有機ケイ素化合物被膜または酸化銅の被膜を形成するか、あるいは酸化銅被膜の形成に続いて有機ケイ素化合物被膜を形成した後、この被膜上に非感光性ポリイミド前駆体を塗布した後、フォトレジストをマスクとしてパターン加工することを特徴とするポリイミド・パターンの形成方法である。【効果】この発明によれば、銅配線上に非感光性ポリイミドを用いパターン加工する際、耐熱性および銅配線との接着性の低下の少ないポリイミド・パターンを銅配線上に確実に形成することができる。また付随的な効果として、銅配線を平坦化する効果をも有するので、非感光性ポリイミドのパターン加工精度が向上する。
請求項（抜粋）：
非感光性ポリイミド前駆体を用い銅配線上にポリイミド・パターンを形成するに際し、該銅配線上に有機ケイ素化合物を含有する塗布液を塗布、乾燥して有機ケイ素化合物被膜を形成し、ついで該被膜上に非感光性ポリイミド前駆体を塗布した後、フォトレジストをマスクとしてパターン加工することを特徴とするポリイミド・パターンの形成方法。
IPC (7件)：
H05K 3/28
, G03F 7/037 501
, G03F 7/11 503
, G03F 7/30
, G03F 7/40 521
, H05K 3/40
, H05K 3/46
