特許
J-GLOBAL ID：200903020248271619
シリコン太陽電池の製造法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
工業技術院電子技術総合研究所長
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-263043
公開番号（公開出願番号）：特開平10-107307
出願日： 1996年10月03日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：
【要約】【課題】 低コスト、かつ無公害でシリコン太陽電池を製造する。【解決手段】 シリコン太陽電池の製造法は、アルミニウム基板の表面に酸化被膜を形成する工程、アルミニウム基板表面の酸化被膜上に粒子状シリコンを稠密に配置する工程、粒子状シリコンの上にシリコン板を置き、加重を加えながらシリコン板および粒子状シリコンに吸収されない光を照射して粒子状シリコンと酸化被膜の接触部を加熱し、酸化被膜の粒子状シリコンとの接触部を破壊して前記アルミニウム基板のアルミニウム部と前記粒子状シリコンをシンタリングする工程、粒子状シリコンの表面の酸化膜を除去し、電子がトンネル現象で透過し得る厚さの清浄なシリコン酸化膜を形成する工程、粒子状シリコンと前記酸化被膜の表面に透明電極膜を形成する工程、を有する。
請求項（抜粋）：
アルミニウム基板の表面に酸化被膜を形成する工程、前記アルミニウム基板表面の酸化被膜上に粒子状シリコンを稠密に配置する工程、前記粒子状シリコンの上にシリコン板を置き、加重を加えながら前記シリコン板および粒子状シリコンに吸収されない長波長の光を照射し、かつ前記シリコン板と前記アルミニウム基板との間に電圧を印加して、前記粒子状シリコンと前記酸化被膜の接触部を加熱しながら、当該酸化被膜の粒子状シリコンとの接触部を絶縁破壊して前記アルミニウム基板のアルミニウム部と前記粒子状シリコンをシンタリングする工程、前記粒子状シリコンの表面の酸化膜を除去し、電子がトンネル現象で透過し得る厚さの清浄なシリコン酸化膜を形成する工程、前記粒子状シリコンと前記酸化被膜の表面に透明電極膜を形成する工程、を有することを特徴とするシリコン太陽電池の製造法。
FI (2件)：
H01L 31/04 N
, H01L 31/04 V
