特許
J-GLOBAL ID：200903020248966757
シンナミルアルデヒド誘導体の製造方法及びその使用等
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石田 康昌 (外1名)
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2001003545
公開番号（公開出願番号）：WO2001-087813
出願日： 2001年04月24日
公開日（公表日）： 2001年11月22日
要約：
【要約】イソバニリン等ベンズアルデヒド誘導体と、アルカリの存在下にアセトアルデヒドとを反応させることにより、特に好ましくは水溶液中低温下で、少量づつアセトアルデヒドを滴下して反応させることにより、高純度のシンナミルアルデヒド誘導体、例えば(2E)-(3-ヒドロキシ-4メトキシ)シンナミルアルデヒドを工業的に簡便、かつ効率良く製造する方法を提供する。得られたシンナミルアルデヒド誘導体を選択的に還元し3-(3-ヒドロキシ-4-置換(メトキシ等)フェニル)プロピオンアルデヒドを製造し、更にアスパルテームとの還元的アルキル化反応により、高甘味度甘味料として有用なN-[N-[3-(3-ヒドロキシ-4-置換(メトキシ等)フェニル)プロピル]-L-α-アスパルチル]-L-フェニルアラニン 1-メチルエステルを工業的に効率良く製造することができ、これらの方法も提供する。
請求項（抜粋）：
下記一般式(I)で示されるベンズアルデヒド誘導体とアセトアルデヒドとをアルカリの存在下に反応させることを特徴とする下記一般式(II)で示されるシンナミルアルデヒド誘導体の製造方法。当該シンナミルアルデヒド誘導体は塩の形態でもよい。 上記式(I)及び(II)中、Rは水素原子、炭素数1〜4の低級アルキル基及び炭素数1〜4の低級アルコキシ基の何れかを表す。
IPC (8件)：
C07C 45/74
, C07C 45/62
, C07C 47/277
, C07C231/12
, C07C237/20
, C07B 53/00
, C07B 61/00 300
, C07M 7:00
C07C 45/74
, C07C 45/62
, C07C 47/277
, C07C231/12
, C07C237/20
, C07B 53/00 F
, C07B 61/00 300
