特許
J-GLOBAL ID：200903020251612273
発光デバイスの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
豊栖 康弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-353836
公開番号（公開出願番号）：特開平8-250770
出願日： 1991年02月18日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：
【要約】【目的】 量産性及び信頼性に優れた発光デバイスの電極構造とする。【構成】 絶縁性基板の上に複数層の半導体層が積層されている。積層された半導体層は、表面の半導体層の一部がエッチングして除去されて内面の半導体層が表出しており、内面の半導体層と表面の半導体層とに一対の電極が形成されている。内面の半導体層と表面の半導体層とに設けられた電極は、一方の電極の周囲を他方の電極で囲むように配設している。一方の電極の周囲を囲む電極は連続して設けられている。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板の上に半導体層が積層されており、半導体層の同一面側に一対の電極が形成されてなる発光デバイスの電極構造において、絶縁性基板の上に複数層の半導体層が積層されており、積層された半導体層は、表面の半導体層の一部がエッチング除去されて内面の半導体層が表出しており、内面の半導体層と表面の半導体層とに一対の電極が形成されており、さらに、内面の半導体層と表面の半導体層とに設けられた電極は、一方の電極の周囲を他方の電極が囲むように配設されており、さらに、一方の電極の周囲を囲む電極は連続して設けられていることを特徴とする発光デバイスの電極構造。
FI (2件)：
H01L 33/00 E
, H01L 33/00 C
