特許

J-GLOBAL ID：200903020258176835

薄膜形成装置のクリ-ニング方法

発明者： 小野 洋子
出願人/特許権者： 芝浦メカトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-016804
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216103
出願日： 1999年01月26日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：

【要約】【課題】クリーニングが必要なサセプタやその周辺の部品に選択的に洗浄用ガスを供給し速やかにエッチングをなしえることを課題とする。【解決手段】反応室23と、この反応室23内に配置されウェハ24を支持するサセプタ25と、前記ウェハ24を加熱するヒータ28と、前記反応室23内に前記ウェハ24と対向するように配置された整流板とを具備する薄膜形成装置のクリーニング方法において、洗浄用ガスと希釈用ガスの混合ガスを円形整流板31を通してサセプタ25及びその近傍に流して反応室23内に付着した不純物を除去することを特徴とする薄膜形成装置のクリーニング方法。

請求項（抜粋）：

反応室と、この反応室内に配置されウェハを支持するサセプタと、前記ウェハを加熱するヒータと、前記反応室内に前記ウェハと対向するように配置された整流板とを具備する薄膜形成装置のクリーニング方法において、洗浄用ガスと希釈用ガスの混合ガスを前記整流板を通してサセプタ及びその近傍に流して反応室内に付着した不純物を除去することを特徴とする薄膜形成装置のクリーニング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 14/00 ,  C23C 16/44

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 14/00 B ,  C23C 16/44 J

Fターム (13件)：

4K029DA09 ,  4K029DA10 ,  4K030DA06 ,  4K030KA12 ,  5F045AA06 ,  5F045AC02 ,  5F045AC15 ,  5F045AC18 ,  5F045DP01 ,  5F045EB06 ,  5F045EE14 ,  5F045EF13 ,  5F045EF15