半導体基材表面への微細構造形成方法およびその方法により微細構造を形成した半導体基材ならびにそれを用いたデバイス

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：藤田邦彦 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-051578
公開番号（公開出願番号）：特開2002-252202
出願日： 2001年02月27日
公開日（公表日）： 2002年09月06日
要約：

【要約】【課題】電流を流さなくても、表面に微細構造(多孔質層)を形成することができる方法と、その方法により微細構造(多孔質層)を形成したウェハや半導体材料を提供する。【解決手段】ヘキサフルオロチタン水素酸など、フッ化水素酸に金属元素を溶解して得ることのできる水溶液を調整する。この中にウェハや半導体材料を浸漬し、微細構造(多孔質層)を形成する。

請求項（抜粋）：

フッ化水素酸に、金属元素または前記金属元素を含む合金または前記金属元素を含む化合物のいずれか少なくとも一つを溶解して得ることのできる液を含む溶液と、半導体材料基材とを接触させて形成することを特徴とする、半導体基材表面への微細構造形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/306 , G02B 6/12

FI (3件)：

H01L 21/306 G , G02B 6/12 Z , G02B 6/12 N

Fターム (9件)：

2H047KA04 , 2H047KA05 , 2H047PA21 , 2H047PA24 , 2H047QA04 , 5F043AA02 , 5F043BB01 , 5F043DD08 , 5F043GG10

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