特許
J-GLOBAL ID：200903020263649989
高電圧のプレーナ端部終端構造物とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
本城 雅則 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-189751
公開番号（公開出願番号）：特開平8-032031
出願日： 1995年07月04日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：
【要約】【目的】 高電圧のプレーナ端部終端構造物とその製造方法が提供される。【構成】 半導体構造物10は、端部終端特性を有し、これは、第1ドープ領域13と第2ドープ領域14が、半導体基板11内に選択的に形成される。第2ドープ領域14は、第1ドープ領域13と結合されて、第1ドープ領域13よりも低い不純物濃度を有する。絶縁層12は、半導体基板11の上、および第2ドープ領域14の少なくとも一部分の上に配置される。コイル形状構成を有する導電層18は、絶縁層12の上に配置されて、半導体基板11と結合される。
請求項（抜粋）：
半導体構造物であって:第1導電形の半導体層(11);前記半導体層(11)内に選択的に形成される第2導電形の第1ドープ領域(13);前記半導体層(11)内に選択的に形成され、前記第1ドープ領域(13)と結合される前記第2導電形の第2ドープ領域(14)であって、前記第2ドープ領域(14)は、不純物濃度が前記第1ドープ領域(13)のそれより低い第2ドープ領域(14);前記半導体層(11)の上、および前記第2ドープ領域(14)の少なくとも一部分の上に配置される絶縁層(12);および前記絶縁層の上に配置され、コイル形状の構成を有する導電層(18)であって、前記導電層(18)の隣接する部分は互いに間隔を開けられており、また前記導電層(18)は、前記半導体層(11)と結合される導電層(18);によって構成されることを特徴とする半導体構造物。
IPC (3件)：
H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 29/78
H01L 27/04 L
, H01L 27/04 H
, H01L 29/78 301 K
