特許

J-GLOBAL ID：200903020265714680

3-5族化合物半導体用電極の製造方法

発明者： 家近 泰 ,  小野 善伸 ,  高田 朋幸 ,  乾 勝美
出願人/特許権者： 住友化学工業株式会社
代理人 (1件)： 久保山 隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-346130
公開番号（公開出願番号）：特開平9-251966
出願日： 1996年12月25日
公開日（公表日）： 1997年09月22日
要約：

【要約】【課題】3-5族化合物半導体に用いる接触抵抗の小さな電極の製造方法および得られた電極を有する3-5族化合物半導体素子を提供する。【解決手段】〔1〕一般式Inx Gay Alz N(ただし、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表される3-5族化合物半導体に用いる電極を製造する方法において、アルカリ金属水酸化物とH2 O2 を含む水溶液で該3-5族化合物半導体の表面を処理した後に、該表面上に電極を形成する工程を有する3-5族化合物半導体用電極の製造方法。〔2〕前記〔1〕記載の方法で製造された電極を有する3-5族化合物半導体素子。

請求項（抜粋）：

一般式Inx Gay Alz N(ただし、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表される3-5族化合物半導体に用いる電極を製造する方法において、アルカリ金属水酸化物とH2 O2 を含む水溶液で該3-5族化合物半導体の表面を処理した後に、該表面上に電極を形成する工程を有することを特徴とする3-5族化合物半導体用電極の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/306 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01L 21/28 301 H ,  H01L 33/00 E ,  H01L 21/306 F