特許
J-GLOBAL ID：200903020271513794
プラズマCVD装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
丸島 儀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-094430
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291150
出願日： 1992年04月14日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：
【要約】 (修正有)【構成】 減圧可能な反応容器1内で高周波放電によりプラズマを発生させ被処理基板上3に薄膜を堆積するプラズマCVD装置において、カソード電極2に高周波電力を供給する高周波電源7の発振周波数が13.56MHzより大きく、カソード電極2に直流または/及び周波数が2MHz以下の交流のバイアス電圧を印加する手段13を具備する。【効果】 本発明によれば、放電周波数を13.56MHzより大きくしても、堆積粒子に十分なアシストエネルギーを制御性よく付与することができ、また、高周波電力の損失を防止できるため、高品質の堆積膜を高速で、しかも安定して形成することができる。
請求項（抜粋）：
減圧可能な反応容器内で高周波放電によりプラズマを発生させ被処理基板上に薄膜を堆積するプラズマCVD装置において、カソード電極に高周波電力を供給する高周波電源の発振周波数が13.56MHzより大きく、カソード電極に直流または/及び周波数が2MHz以下の交流のバイアス電圧を印加する手段を具備したことを特徴とするプラズマCVD装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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