特許
J-GLOBAL ID：200903020272669143
溝分離半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大川 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-253450
公開番号（公開出願番号）：特開平7-106413
出願日： 1993年10月08日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：
【要約】【目的】結晶欠陥の低減が可能な溝分離半導体装置及びその製造方法の提供。【構成】第1発明の半導体装置では、溝の内壁面に被着された絶縁膜を介して形成されたポリシリコン膜の完全酸化によりシリコン酸化膜を形成した後、溝に充填材を充填している。第2発明の半導体装置では、溝の内壁面に直接に形成されたポリシリコン膜21の一部又は完全酸化によりシリコン酸化膜22を形成した後、溝に充填材23を充填する。第3発明の半導体装置の製造方法は、溝の内壁面に熱酸化膜及び窒化シリコン膜を介してポリシリコン膜を形成し、このポリシリコン膜を完全酸化してシリコン酸化膜を形成し、溝にポリシリコンを充填した後、フィールド酸化膜を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板の主面上に掘られた溝と、前記溝の内壁面に絶縁膜を介して配設されたポリシリコン膜を完全酸化して形成されたシリコン酸化膜と、残存する前記溝に充填された充填材とを備えることを特徴とする溝分離半導体装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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