特許
J-GLOBAL ID：200903020272853734
ホイスカー防止用スズメッキ浴、及びスズメッキのホイスカー防止方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
豊永 博隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-128980
公開番号（公開出願番号）：特開平8-296050
出願日： 1995年04月27日
公開日（公表日）： 1996年11月12日
要約：
【要約】【目的】 銅などの微細パターン上にスズメッキを施すに際して、アニール処理などを必要とせずに、スズメッキと半導体チップの金バンプ電極の接合強度を高く保持しながら、スズメッキ皮膜のホイスカーの発生を有効に防止する。【構成】 第一スズ塩に、ビスマス、インジウム、鉛又はアンチモンの低融点金属の塩を加えた可溶性金属塩を含有するスズメッキ浴を使用して、析出皮膜中の低融点金属の組成が0.1〜3.0重量%で、皮膜の厚みが0.1〜1.0μmであるように、微細パターン上にスズメッキ皮膜を施す。所定の微量金属を特定の低含有率で含むスズ皮膜を、特定の薄い厚みで析出させるので、アニール処理などを必要とせずに、ホイスカー防止効果と高い接合強度を両立できる。
請求項（抜粋）：
第一スズ塩に、ビスマス、インジウム、鉛及びアンチモンから成る群より選ばれた低融点金属の塩を加えた可溶性金属塩の混合物を含有するとともに、析出皮膜中の上記低融点金属の組成が総量で0.1〜3.0重量%になるように浴を濃度調整可能にしたことを特徴とするホイスカー防止用スズメッキ浴。
IPC (4件)：
C23C 18/48
, C23C 18/31
, H01L 21/60 311
, H01L 21/321
C23C 18/48
, C23C 18/31 Z
, H01L 21/60 311 Q
, H01L 21/92 604 D
