半導体装置の作製方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-333603
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163409
出願日： 1992年11月19日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：

【要約】【目的】薄膜半導体回路において、半導体の結晶化処理温度を低減し、かつ、信頼性の高い結晶性半導体を形成する方法を提供する。【構成】透明な基板上に形成されたアモルファスシリコン等の非晶質半導体薄膜に対し、裏面からのレーザーもしくはそれと同等な強光を照射することによって、該半導体薄膜の基板側を結晶化せしめ、その後、該半導体薄膜を400〜600°Cで処理することにより、先に結晶化された領域を核として結晶化を進行させ、均一な結晶性半導体を得る。

請求項（抜粋）：

透明な基板上に形成されたシリコンを主体とする非晶質半導体薄膜に対し、基板を透過する波長のレーザー光もしくはそれと同等な強光を裏面から照射する工程と、前記工程終了後、該薄膜を400〜600°Cの温度にて熱処理する工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (5件)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 , H01L 21/324 , H01L 21/336 , H01L 29/784

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭61-078119
特開昭63-060519

前のページに戻る