特許

J-GLOBAL ID：200903020277691724

半導体材料を析出する装置、多結晶シリコン棒の製造方法、前記製造方法のための炭素電極の使用

発明者： ハラルト ヘルトライン ,  カール ヘッセ ,  アクセル フラウエンクネヒト
出願人/特許権者： ワツカー-ケミー ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-001054
公開番号（公開出願番号）：特開2002-234720
出願日： 2002年01月08日
公開日（公表日）： 2002年08月23日
要約：

【要約】【課題】 加熱した支持体に半導体材料を析出する装置を提供する。【解決手段】 析出装置の基板に導通され、固定された電流通路と電極ホルダーを有し、この電極ホルダーは電流通路の上に配置されている下面および炭素電極と接続されている上面を有し、この炭素電極に支持体をはめ込むことができる、加熱した支持体に半導体材料を析出する装置において、炭素電極が145W/m・Kより大きい熱伝導率を有し、かつシリコンの熱膨張率に適合している熱膨張率を有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

析出装置の基板に導通され、固定された電流通路と電極ホルダーを有し、この電極ホルダーは電流通路の上に配置されている下面および炭素電極と接続されている上面を有し、この炭素電極に支持体をはめ込むことができる、加熱した支持体に半導体材料を析出する装置において、炭素電極が145W/m・Kより大きい熱伝導率を有し、かつシリコンの熱膨張率に適合している熱膨張率を有することを特徴とする、半導体材料を析出する装置。

Fターム (11件)：

4G072AA02 ,  4G072BB03 ,  4G072BB12 ,  4G072GG01 ,  4G072GG03 ,  4G072GG04 ,  4G072GG05 ,  4G072HH01 ,  4G072MM21 ,  4G072NN01 ,  4G072NN14

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特公昭39-022499
  

引用文献：

審査官引用 (3件)

• 新炭素製品, 19990630, 第91頁
• 新・炭素工業, 19860701, 改訂版, 第26-30頁
• 新炭素製品, 19990630, 第8頁